Инвертированные перовскитные солнечные элементы с использованием диметилакридина.

Природа (2023)Цитировать эту статью

9708 Доступов

12 Альтметрика

Подробности о метриках

Мы предоставляем неотредактированную версию этой рукописи, чтобы обеспечить ранний доступ к ее результатам. Перед окончательной публикацией рукопись подвергнется дальнейшему редактированию. Обратите внимание, что могут присутствовать ошибки, которые влияют на содержание, и применяются все юридические отказы от ответственности.

Легирование перовскитного полупроводника1 и пассивация границ его зерен2 остаются сложной задачей, но необходимы для создания высокоэффективных перовскитных солнечных элементов. В частности, это крайне важно для создания инвертированных устройств Шоттки на основе перовскита/оксида индия и олова (ITO) без предварительного нанесения слоя материала, переносящего дырки3-5. Здесь мы сообщаем о процессе молекулярного легирования на основе диметилакридина для создания хорошо согласованного контакта p-перовскит/ITO, а также всесторонней пассивации границ зерен, достигая сертифицированного КПД преобразования энергии (PCE) 25,39%. Показано, что молекулы экструдируются из раствора-прекурсора к границам зерен и нижней поверхности пленки в процессе кристаллизации, закаленном хлорбензолом, который мы называем процессом экструзии молекул. Основной координационный комплекс между депротонированной группой фосфоновой кислоты молекулы и полииодидом свинца перовскита отвечает как за механическое поглощение, так и за перенос электронного заряда и приводит к легированию p-типа пленки перовскита. Мы получили устройство-чемпион с PCE 25,86% (обратное сканирование) и устройства, которые сохраняют 96,6% исходного PCE после 1000 часов световой выдержки.

Это предварительный просмотр контента подписки, доступ через ваше учреждение.

Доступ к журналу Nature и 54 другим журналам Nature Portfolio.

Приобретите Nature+, нашу выгодную подписку с онлайн-доступом.

29,99 долларов США / 30 дней

отменить в любое время

Подпишитесь на этот журнал

Получите 51 печатный выпуск и онлайн-доступ.

199,00 долларов США в год

всего $3,90 за выпуск

Возьмите напрокат или купите эту статью

Получите только эту статью до тех пор, пока она вам нужна

$39,95

Цены могут зависеть от местных налогов, которые рассчитываются во время оформления заказа.

Эти авторы внесли равный вклад: Цинь Тан, Чжаонин Ли.

Департамент материаловедения и инженерии, Институт инновационных материалов (I2M), Шэньчжэньская ключевая лаборатория полноспектральной генерации солнечной электроэнергии (FSSEG), Южный университет науки и технологий (SUSTech), № 1088, Xueyuan Rd., Шэньчжэнь, Гуандун, Китай

Цинь Тан, Чжаонин Ли, Гуанфу Ло, Сюшэн Чжан, Гоцун Чен, Хан Гао, Донг Хэ, Гоцян Ма, Цзяфэн Ван, Цзинвэй Сю, Хуцян И и Чжубин Хэ

Хэфэйская национальная лаборатория физических наук на микроуровне, факультет материаловедения и инженерии, Китайский университет науки и технологий, № 96, Jinzhai Road, Хэфэй, Аньхой, Китай

Бо Че и Тао Чен

Вы также можете найти этого автора в PubMed Google Scholar.

Вы также можете найти этого автора в PubMed Google Scholar.

Вы также можете найти этого автора в PubMed Google Scholar.

Вы также можете найти этого автора в PubMed Google Scholar.

Вы также можете найти этого автора в PubMed Google Scholar.

Вы также можете найти этого автора в PubMed Google Scholar.

Вы также можете найти этого автора в PubMed Google Scholar.

Вы также можете найти этого автора в PubMed Google Scholar.

Вы также можете найти этого автора в PubMed Google Scholar.

Вы также можете найти этого автора в PubMed Google Scholar.

Вы также можете найти этого автора в PubMed Google Scholar.

Вы также можете найти этого автора в PubMed Google Scholar.